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门电路_基本逻辑门电路

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内容总览

  • 半导体器件的开关特性
  • 基本逻辑门电路

半导体器件的开关特性

门电路的作用和常用类型

门电路(Gate Circuit)

定义:指用以实现基本逻辑关系和常用复合逻辑关系的电子电路

常用的逻辑门电路

  • 与门
  • 或门
  • 非门
  • 异或门
  • 与非门
  • 或非门
  • 与或非门

按电路结构不同分

  • TTL(Transistor-Transistor Logic)集成电路:输入端和输出端都用三极管的逻辑电路
  • CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)集成门电路:用互补对称MOS管构成的逻辑门电路

按功能特点不同分(输出方式)

  • 普通门(推拉式输出:灌电流和拉电流的作用)
  • 输出开路门:把集电极或者漏极开路
  • 三态门:有0状态 1 状态和高阻状态和三个状态
  • CMOS传输门

高电平和低电平的含义

高电平和低电平为某规定范围内的电位值,而非一固定值

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上图左边即为电子开关,S断开即为“1”高电平,S闭合即为“0”低电平


后面是一些模电的内容,权当复习复习吧

二极管的开关特性

本征半导体

半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间的物质,例如硅、锗、砷化镓和一些硫化物、氧化物等

现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,最外层电子(价电子)都是四个

通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体

本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体

在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其他原子位于四面体的顶点,每个原子与其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电子。

形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构

共价键具有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体

共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键称为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,导电能力很弱

载流子、自由电子和空穴

在绝对零度(T=0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体

在常温下,由于热激发(本征激发),使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时留下一个空位,称为空穴

导电机理

本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴

在其他力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流子

本征半导体中电流由两部分组成

  • 自由电子移动产生的电流
  • 空穴移动产生的电流

本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度

温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体特性的一个重要外部因素,这是半导体的一大特点——温敏特性

N型、P型半导体

在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体——掺杂特性

  • 掺入五价元素(磷)

掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体

在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子

  • 掺入三价元素(硼)

掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或P型半导体

在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子

无论是N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性(因为我掺杂的时候本来就是俩电中性的东西掺一起,没有电荷的加入或丢失)

PN结的形成

想更详细地听的话,出门左拐去B站听!\郑益慧老师/!的讲解,神!(学过模电想必都明白了吧)

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PN结的正向导通

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PN结的反向偏置

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一般称二极管的P极为阳极(A)、N极为阴极(K)

二极管的静态开关特性

二极管导通状态等效电路

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二极管截止状态等效电路

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晶体管的开关特性

三极管的结构及符号

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三极管内部载流子的运动

三极管根据两个PN结所施加的电压不同,有四种不同的工作状态

  • 放大状态:发射结偏、集电结
  • 截止状态:发射结偏、集电结
  • 饱和状态:发射结偏、集电结
  • 倒置状态:发射结偏、集电结

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这部分是咱电基没怎么细讲的部分,如果想知道可以去看郑益慧老师的前几节课,很通俗易懂

三极管各工作状态电流之间的关系

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注:\(I_{BS}\)饱和电流(后面会介绍)

三极管的静态开关特性

三极管截止状态等效电路

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三极管饱和状态等效电路

\(u_{I}\)增大使\(u_{BE}>U_{th}\)时,三极管开始导通,\(i_B>0\),三极管工作于放大导通状态

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\(u_{BE}\)约等于\(0.7V\)\(U_{CES}\)约等于0,很多情况下就相当于一根导线,也就是导通了

三极管工作在饱和状态的条件是\(i_{B}>I_{BS}\)

开关工作的条件

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MOS管的开关特性

场效应晶体管只有一种载流子(多数载流子)参与导电,又称为单极型三极管。场效应晶体管是利用电场(电压)控制半导体中载流子运动的一种有源器件。目前场效应管应用得最多的是以二氧化硅作为绝缘介质的金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),简称为MOS管

MOS管的结构

绝缘栅型场效应管中,有N沟道和P沟道两类,而每一类又分为增强型和耗尽型两种。增强型就是\(U_{GS}=0\)时,漏源(D和S)之间没有导电沟道,即使在漏源之间加上一定范围的电压,也没有漏极电流;反之,在\(U_{GS}=0\)时,漏源(D和S)之间有导电沟道的称为耗尽型

N沟道增强型MOS管

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栅极电流很小(因为输入电阻很大,基本就是绝缘嘛),所以MOS管的抗干扰性很高

MOS管的工作原理

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MOS管的符号

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MOS管的静态开关特性

N沟道增强型MOS管

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P沟道增强型MOS管

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The End of 模电部分,摸鱼结束


基本逻辑门电路

二极管与门

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\(u_A=3V,u_B=0V\)这种情况下,由于\(U_{D2}>U_{D1}\),则\(D_2\)优先导通,把\(u_Y\)点的电位“钳制”在0.7V

而在\(u_B=3V,u_A=0V\)这种情况下,则\(D_1\)会优先导通

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二极管或门

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三极管非门

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