门电路_基本逻辑门电路¶
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内容总览
- 半导体器件的开关特性
- 基本逻辑门电路
半导体器件的开关特性¶
门电路的作用和常用类型¶
门电路(Gate Circuit)¶
定义:指用以实现基本逻辑关系和常用复合逻辑关系的电子电路
常用的逻辑门电路
- 与门
- 或门
- 非门
- 异或门
- 与非门
- 或非门
- 与或非门
按电路结构不同分
- TTL(Transistor-Transistor Logic)集成电路:输入端和输出端都用三极管的逻辑电路
- CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)集成门电路:用互补对称MOS管构成的逻辑门电路
按功能特点不同分(输出方式)
- 普通门(推拉式输出:灌电流和拉电流的作用)
- 输出开路门:把集电极或者漏极开路
- 三态门:有0状态 1 状态和高阻状态和三个状态
- CMOS传输门
高电平和低电平的含义¶
高电平和低电平为某规定范围内的电位值,而非一固定值
上图左边即为电子开关,S断开即为“1”高电平,S闭合即为“0”低电平
后面是一些模电的内容,权当复习复习吧
二极管的开关特性¶
本征半导体¶
半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间的物质,例如硅、锗、砷化镓和一些硫化物、氧化物等
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,最外层电子(价电子)都是四个
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体
本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体
在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其他原子位于四面体的顶点,每个原子与其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电子。
形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构
共价键具有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键称为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,导电能力很弱
载流子、自由电子和空穴¶
在绝对零度(T=0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体
在常温下,由于热激发(本征激发),使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时留下一个空位,称为空穴
导电机理¶
本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴
在其他力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流子
本征半导体中电流由两部分组成
- 自由电子移动产生的电流
- 空穴移动产生的电流
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度
温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体特性的一个重要外部因素,这是半导体的一大特点——温敏特性
N型、P型半导体¶
在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体——掺杂特性
- 掺入五价元素(磷)
掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体
在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子
- 掺入三价元素(硼)
掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或P型半导体
在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子
无论是N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性(因为我掺杂的时候本来就是俩电中性的东西掺一起,没有电荷的加入或丢失)
PN结的形成¶
想更详细地听的话,出门左拐去B站听!\郑益慧老师/!的讲解,神!(学过模电想必都明白了吧)
PN结的正向导通¶
PN结的反向偏置¶
一般称二极管的P极为阳极(A)、N极为阴极(K)
二极管的静态开关特性¶
二极管导通状态等效电路¶
二极管截止状态等效电路¶
晶体管的开关特性¶
三极管的结构及符号¶
三极管内部载流子的运动¶
三极管根据两个PN结所施加的电压不同,有四种不同的工作状态
- 放大状态:发射结正偏、集电结反偏
- 截止状态:发射结反偏、集电结反偏
- 饱和状态:发射结正偏、集电结正偏
- 倒置状态:发射结反偏、集电结正偏
这部分是咱电基没怎么细讲的部分,如果想知道可以去看郑益慧老师的前几节课,很通俗易懂
三极管各工作状态电流之间的关系¶
注:\(I_{BS}\)饱和电流(后面会介绍)
三极管的静态开关特性¶
三极管截止状态等效电路¶
三极管饱和状态等效电路¶
\(u_{I}\)增大使\(u_{BE}>U_{th}\)时,三极管开始导通,\(i_B>0\),三极管工作于放大导通状态
\(u_{BE}\)约等于\(0.7V\),\(U_{CES}\)约等于0,很多情况下就相当于一根导线,也就是导通了
三极管工作在饱和状态的条件是\(i_{B}>I_{BS}\)
开关工作的条件¶
MOS管的开关特性¶
场效应晶体管只有一种载流子(多数载流子)参与导电,又称为单极型三极管。场效应晶体管是利用电场(电压)控制半导体中载流子运动的一种有源器件。目前场效应管应用得最多的是以二氧化硅作为绝缘介质的金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),简称为MOS管
MOS管的结构¶
绝缘栅型场效应管中,有N沟道和P沟道两类,而每一类又分为增强型和耗尽型两种。增强型就是\(U_{GS}=0\)时,漏源(D和S)之间没有导电沟道,即使在漏源之间加上一定范围的电压,也没有漏极电流;反之,在\(U_{GS}=0\)时,漏源(D和S)之间有导电沟道的称为耗尽型
N沟道增强型MOS管¶
栅极电流很小(因为输入电阻很大,基本就是绝缘嘛),所以MOS管的抗干扰性很高
MOS管的工作原理¶
MOS管的符号¶
MOS管的静态开关特性¶
N沟道增强型MOS管¶
P沟道增强型MOS管¶
The End of 模电部分,摸鱼结束
基本逻辑门电路¶
二极管与门¶
在\(u_A=3V,u_B=0V\)这种情况下,由于\(U_{D2}>U_{D1}\),则\(D_2\)会优先导通,把\(u_Y\)点的电位“钳制”在0.7V
而在\(u_B=3V,u_A=0V\)这种情况下,则\(D_1\)会优先导通